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高性能氮化镓基电子材料
文章来源 : 军民结合推进司 发布时间:2012年12月20日
【技术领域】微电子与电子信息

  【技术开发单位】中国科学院半导体研究所

  【技术简介】采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延高性能氮化镓(GaN)基电子材料。

  【技术特点】采用本技术制备GaN基电子材料,生长速度快,产量高,质量、重复性和均匀性好。利用制备材料已研制出国内第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件,国内第一块GaN功率MMIC,以及国内领先、国际先进的GaN基功率器件。

  【技术水平】已达到国内领先、国际先进水平,部分指标达到国际领先水平,GaN基电子材料主要指标如下:
  (1)尺寸:2英寸或3英寸;
  (2)平均方块电阻:270Ω/□~400Ω/□;
  (3)方块电阻不均匀性:<3% ;
  (4)室温二维电子气迁移率:>1800cm2/Vs;
  (5)10μm×10μm范围表面粗糙度:<0.5nm。

  【可应用领域和范围】该材料适于研制高频、大功率GaN基功率器件和单片集成电路,在手机基站、卫星通信、航空航天等领域具有重大应用前景和市场潜力。

  【专利状态】已获得专利14项,申请专利1项。

  【技术状态】小批量生产阶段

  【合作方式】技术转让  股权投资  风险投资  合作开发

  【投入需求】外延材料生长的MOCVD设备、测试设备及超净工艺间。

  【预期效益】目前碳化硅衬底的GaN基电子材料,3英寸的大约10万元/片,2英寸的大约5~8万元/片。利用本技术建立2~3英寸GaN基电子材料研制平台,可满足国内器件和电路研制单位对GaN基电子材料的需求。按照两台(2英寸和3英寸各一台)3片MOCVD系统估计,每年可生长2英寸和3英寸外延片各1500片,预计经济效益可超过2亿元。

  【联系方式】王晓亮   010-82304170   13910513723


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